Κίνα Ανταλλακτικά SiC Single Crystal Growth Process Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο

Το προϊόν της VeTek Semiconductor, τα προϊόντα επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για τη διεργασία SiC Single Crystal Growth Process, αντιμετωπίζει τις προκλήσεις που σχετίζονται με τη διεπαφή ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου (SiC), ιδιαίτερα τα ολοκληρωμένα ελαττώματα που εμφανίζονται στην άκρη του κρυστάλλου. Με την εφαρμογή επικάλυψης TaC, στοχεύουμε να βελτιώσουμε την ποιότητα ανάπτυξης κρυστάλλων και να αυξήσουμε την αποτελεσματική περιοχή του κέντρου του κρυστάλλου, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για την επίτευξη γρήγορης και παχύρρευστης ανάπτυξης.

Η επίστρωση TaC είναι μια βασική τεχνολογική λύση για την καλλιέργεια υψηλής ποιότητας διαδικασίας ανάπτυξης μονοκρυστάλλου SiC. Αναπτύξαμε με επιτυχία μια τεχνολογία επίστρωσης TaC χρησιμοποιώντας χημική εναπόθεση ατμού (CVD), η οποία έχει φτάσει σε διεθνώς προηγμένο επίπεδο. Το TaC έχει εξαιρετικές ιδιότητες, όπως υψηλό σημείο τήξης έως και 3880°C, εξαιρετική μηχανική αντοχή, σκληρότητα και αντοχή σε θερμικό σοκ. Επίσης, παρουσιάζει καλή χημική αδράνεια και θερμική σταθερότητα όταν εκτίθεται σε υψηλές θερμοκρασίες και ουσίες όπως αμμωνία, υδρογόνο και ατμός που περιέχει πυρίτιο.

Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου (TaC) της VeTek Semiconductor προσφέρει μια λύση για την αντιμετώπιση των προβλημάτων που σχετίζονται με τις άκρες στη Διαδικασία Ανάπτυξης SiC Single Crystal, βελτιώνοντας την ποιότητα και την αποτελεσματικότητα της διαδικασίας ανάπτυξης. Με την προηγμένη τεχνολογία επίστρωσης TaC, στοχεύουμε να υποστηρίξουμε την ανάπτυξη της βιομηχανίας ημιαγωγών τρίτης γενιάς και να μειώσουμε την εξάρτηση από εισαγόμενα βασικά υλικά.

Μέθοδος PVT SiC Ανταλλακτικά διαδικασίας ανάπτυξης μονού κρυστάλλου:

Το χωνευτήριο με επίστρωση TaC, το στήριγμα σπόρων με επίστρωση TaC, ο δακτύλιος οδηγός επίστρωσης TaC είναι σημαντικά μέρη στον κλίβανο μονοκρυστάλλου SiC και AIN με τη μέθοδο PVT.

Βασικό χαρακτηριστικό:

-Αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες

-Υψηλή καθαρότητα, δεν θα μολύνει τις πρώτες ύλες SiC και τους μονοκρυστάλλους SiC.

-Ανθεκτικό στον ατμό Al και στη διάβρωση N2

-Υψηλή ευτηκτική θερμοκρασία (με AlN) για να συντομεύσει τον κύκλο προετοιμασίας των κρυστάλλων.

-Ανακυκλώσιμο (έως 200h), βελτιώνει τη βιωσιμότητα και την αποτελεσματικότητα της παρασκευής τέτοιων μονοκρυστάλλων.

Χαρακτηριστικά επικάλυψης TaC

Τυπικές φυσικές ιδιότητες του Tac Coating

Δακτύλιος εκτροπής με επίστρωση καρβιδίου τανταλίου Δακτύλιος οδηγός επίστρωσης TaC Δακτύλιος επίστρωσης TaC Πλάκα με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου Κομμάτι με επίστρωση TaC Σωλήνας επίστρωσης TaC