Κίνα Διαδικασία RTA/RTP Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο

Το VeTek Semiconductor παρέχει φορέα γκοφρέτας RTA/RTP Process, κατασκευασμένο από γραφίτη υψηλής καθαρότητας και επίστρωση SiC μεακαθαρσία κάτω από 5 ppm.

Ο κλίβανος ταχείας ανόπτησης είναι ένα είδος εξοπλισμού για την επεξεργασία ανόπτησης υλικών καιΔιαδικασία RTA/RTP, ελέγχοντας τη διαδικασία θέρμανσης και ψύξης του υλικού, μπορεί να βελτιώσει την κρυσταλλική δομή του υλικού, να μειώσει την εσωτερική πίεση και να βελτιώσει τις μηχανικές και φυσικές ιδιότητες του υλικού. Ένα από τα βασικά στοιχεία στο θάλαμο του κλιβάνου ταχείας ανόπτησης είναι ο φορέας γκοφρέτας/δέκτης γκοφρέταςγια φόρτωση γκοφρετών. Ως θερμαντήρας γκοφρέτας στον θάλαμο διεργασίας, αυτόπλάκα μεταφοράςπαίζει σημαντικό ρόλο στην επεξεργασία ταχείας θέρμανσης και εξισορρόπησης θερμοκρασίας.

Το καρβίδιο του πυριτίου, το νιτρίδιο αλουμινίου και το καρβίδιο του πυριτίου γραφίτη είναι διαθέσιμα υλικά για τον κλίβανο ταχείας ανόπτησης και η κύρια επιλογή στην αγορά είναι ο γραφίτης καιεπίστρωση καρβιδίου του πυριτίου ως υλικά. 

Τα παρακάτω είναιτα χαρακτηριστικά και η εξαιρετική απόδοσητου φορέα γκοφρέτας επεξεργασίας RTA RTP με επίστρωση VeTek Semiconductor SiC:

-Σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία: Η επίστρωση SiC παρουσιάζει εξαιρετική σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες, διασφαλίζοντας την ακεραιότητα της δομής και τη μηχανική αντοχή ακόμη και σε ακραίες θερμοκρασίες. Αυτή η ικανότητα το καθιστά εξαιρετικά κατάλληλο για απαιτητικές διαδικασίες θερμικής επεξεργασίας.

-Άριστη θερμική αγωγιμότητα: Το στρώμα επίστρωσης SiC διαθέτει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, επιτρέποντας γρήγορη και ομοιόμορφη κατανομή θερμότητας. Αυτό μεταφράζεται σε ταχύτερη επεξεργασία θερμότητας, μειώνοντας σημαντικά τον χρόνο θέρμανσης και ενισχύοντας τη συνολική παραγωγικότητα. Βελτιώνοντας την απόδοση μεταφοράς θερμότητας, συμβάλλει στην υψηλότερη απόδοση παραγωγής και στην ανώτερη ποιότητα του προϊόντος.

-Χημική Αδράνεια: Η εγγενής χημική αδράνεια του καρβιδίου του πυριτίου παρέχει εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση από διάφορες χημικές ουσίες. Ο φορέας γκοφρέτας καρβιδίου του πυριτίου με επίστρωση άνθρακα μπορεί να λειτουργήσει αξιόπιστα σε διάφορα χημικά περιβάλλοντα χωρίς να μολύνει ή να βλάπτει τις γκοφρέτες.

-Επιπεδότητα επιφάνειας: Η στρώση καρβιδίου του πυριτίου CVD εξασφαλίζει μια εξαιρετικά επίπεδη και λεία επιφάνεια, εξασφαλίζοντας σταθερή επαφή με τις γκοφρέτες κατά τη διάρκεια της θερμικής επεξεργασίας. Αυτό εξαλείφει την εισαγωγή πρόσθετων επιφανειακών ελαττωμάτων, εξασφαλίζοντας βέλτιστα αποτελέσματα επεξεργασίας.

-Ελαφρύ και υψηλή αντοχή: Ο φορέας γκοφρέτας RTP με επίστρωση SiC είναι ελαφρύς αλλά διαθέτει αξιοσημείωτη αντοχή. Αυτό το χαρακτηριστικό διευκολύνει την άνετη και αξιόπιστη φόρτωση και εκφόρτωση γκοφρετών.

Πώς να χρησιμοποιήσετε το φορέα γκοφρέτας RTA RTP Process:

Κάλυμμα δέκτη & δέκτη γκοφρέτας με επίστρωση SiC της VeTek Semiconductor

Δέκτης RTA RTP RTA RTP φορέας γκοφρέτας Δίσκος RTP (για επεξεργασία ταχείας θέρμανσης RTA) Δίσκος RTP (για επεξεργασία ταχείας θέρμανσης RTA) Δέκτης RTP Δίσκος υποστήριξης γκοφρέτας RTP