Κίνα UV LED Susceptor Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο

Η VeTek Semiconductor είναι ένας κατασκευαστής που ειδικεύεται στα UV LED Susceptors, έχει πολυετή εμπειρία έρευνας και ανάπτυξης και παραγωγής σε υποδοχείς LED EPI και έχει αναγνωριστεί από πολλούς πελάτες στον κλάδο.

LED, δηλαδή ημιαγωγική δίοδος εκπομπής φωτός, η φυσική φύση της φωταύγειας της είναι ότι μετά την ενεργοποίηση της σύνδεσης pn ημιαγωγών, υπό την κίνηση του ηλεκτρικού δυναμικού, τα ηλεκτρόνια και οι οπές στο υλικό ημιαγωγών συνδυάζονται για να δημιουργήσουν φωτόνια, έτσι ώστε να επιτυγχάνουν φωταύγεια ημιαγωγών. Επομένως, η επιταξιακή τεχνολογία είναι ένα από τα θεμέλια και ο πυρήνας των LED, και είναι επίσης ο κύριος καθοριστικός παράγοντας για τα ηλεκτρικά και οπτικά χαρακτηριστικά των LED.

Η τεχνολογία Epitaxy (EPI) αναφέρεται στην ανάπτυξη ενός μονοκρυσταλλικού υλικού σε ένα μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα με την ίδια διάταξη πλέγματος με το υπόστρωμα. Βασική αρχή: Σε ένα υπόστρωμα που έχει θερμανθεί στην κατάλληλη θερμοκρασία (κυρίως υπόστρωμα ζαφείρι, υπόστρωμα SiC και υπόστρωμα Si), οι αέριες ουσίες ίνδιο (In), γάλλιο (Ga), αλουμίνιο (Al), φώσφορος (P) ελέγχονται στην επιφάνεια του υποστρώματος για να αναπτυχθεί ένα συγκεκριμένο μονοκρυσταλλικό φιλμ. Επί του παρόντος, η τεχνολογία ανάπτυξης του επιταξιακού φύλλου LED χρησιμοποιεί κυρίως τη μέθοδο MOCVD (οργανική χημική μετεωρολογική εναπόθεση μετάλλων).

LED επιταξιακό υλικό υποστρώματος

1. Κόκκινο και κίτρινο LED:

Τα GaP και GaAs είναι συνήθως χρησιμοποιούμενα υποστρώματα για κόκκινα και κίτρινα LED. Τα υποστρώματα GaP χρησιμοποιούνται στη μέθοδο της επιταξίας υγρής φάσης (LPE), με αποτέλεσμα ένα ευρύ φάσμα μήκους κύματος 565-700 nm. Για τη μέθοδο επιταξίας αέριας φάσης (VPE), αναπτύσσονται επιταξιακά στρώματα GaAsP, αποδίδοντας μήκη κύματος μεταξύ 630-650 nm. Όταν χρησιμοποιείται MOCVD, τα υποστρώματα GaAs χρησιμοποιούνται συνήθως με την ανάπτυξη των επιταξιακών δομών AlInGaP. Αυτό βοηθά να ξεπεραστούν τα μειονεκτήματα απορρόφησης φωτός των υποστρωμάτων GaAs, αν και εισάγει αναντιστοιχία πλέγματος, απαιτώντας στρώματα προσωρινής αποθήκευσης για την ανάπτυξη δομών InGaP και AlGaInP.

Το VeTek Semiconductor παρέχει τον υποδοχέα LED EPI με επίστρωση SiC, επίστρωση TaC:

VEECO Κόκκινο και κίτρινο LED EPI Susceptor Επίστρωση TaC που χρησιμοποιείται σε υποδοχέα LED EPI

2. μπλε και πράσινο LED:

Υπόστρωμα GaN: Το μονοκρύσταλλο GaN είναι το ιδανικό υπόστρωμα για την ανάπτυξη GaN, βελτιώνοντας την ποιότητα των κρυστάλλων, τη διάρκεια ζωής του τσιπ, τη φωτεινή απόδοση και την πυκνότητα ρεύματος. Ωστόσο, η δύσκολη προετοιμασία του περιορίζει την εφαρμογή του.

Υπόστρωμα Sapphire: Το Sapphire (Al2O3) είναι το πιο κοινό υπόστρωμα για την ανάπτυξη GaN, προσφέροντας καλή χημική σταθερότητα και καμία απορρόφηση ορατού φωτός. Ωστόσο, αντιμετωπίζει προκλήσεις με ανεπαρκή θερμική αγωγιμότητα στη λειτουργία των τσιπ ισχύος με υψηλό ρεύμα.

Υπόστρωμα SiC: Το SiC είναι ένα άλλο υπόστρωμα που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη GaN, καταλαμβάνοντας τη δεύτερη θέση σε μερίδιο αγοράς. Παρέχει καλή χημική σταθερότητα, ηλεκτρική αγωγιμότητα, θερμική αγωγιμότητα και καμία απορρόφηση ορατού φωτός. Ωστόσο, έχει υψηλότερες τιμές και χαμηλότερη ποιότητα σε σύγκριση με το ζαφείρι. Το SiC δεν είναι κατάλληλο για UV LED κάτω από 380 nm. Η εξαιρετική ηλεκτρική και θερμική αγωγιμότητα του SiC εξαλείφει την ανάγκη για συγκόλληση με flip-chip για απαγωγή θερμότητας σε LED GaN τύπου ισχύος σε υποστρώματα ζαφείρι. Η δομή του άνω και του κάτω ηλεκτροδίου είναι αποτελεσματική για την απαγωγή θερμότητας σε συσκευές GaN LED τύπου ισχύος.

AMEC μπλε και πράσινο LED EPI susceptor MOCVD Susceptor με επίστρωση TaC

3. Βαθιά UV LED EPI:

Σε βαθιές υπεριώδεις (DUV) LED επιταξίες, βαθιά UV LED ή DUV LED Epitaxy, τα χημικά υλικά που χρησιμοποιούνται συνήθως ως υποστρώματα περιλαμβάνουν το νιτρίδιο του αργιλίου (AlN), το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) και το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN). Αυτά τα υλικά διαθέτουν καλή θερμική αγωγιμότητα, ηλεκτρική μόνωση και ποιότητα κρυστάλλου, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές DUV LED σε περιβάλλοντα υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας. Η επιλογή του υλικού του υποστρώματος εξαρτάται από παράγοντες όπως οι απαιτήσεις εφαρμογής, οι διαδικασίες κατασκευής και το κόστος.

Επικαλυμμένο με SiC Deep UV LED Susceptor Επικαλυμμένο με TaC Deep UV LED Susceptor