Δακτύλιος επίστρωσης CVD TaC

Ο δακτύλιος επίστρωσης CVD TaC της VeTek Semiconductor είναι ένα εξαιρετικά πλεονεκτικό εξάρτημα σχεδιασμένο για να ανταποκρίνεται στις απαιτητικές απαιτήσεις των διαδικασιών ανάπτυξης κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου (SiC). Ο δακτύλιος επίστρωσης CVD TaC παρέχει εξαιρετική αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία και χημική αδράνεια, καθιστώντας τον ιδανική επιλογή για περιβάλλοντα που χαρακτηρίζονται από υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικές συνθήκες. Δεσμευόμαστε να παρέχουμε ποιοτικά προϊόντα σε ανταγωνιστικές τιμές και ανυπομονούμε να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ο δακτύλιος επίστρωσης CVD TaC της VeTek Semiconductor είναι ένα κρίσιμο συστατικό για την επιτυχημένη ανάπτυξη μονοκρύσταλλου καρβιδίου του πυριτίου. Με την αντοχή του σε υψηλές θερμοκρασίες, τη χημική αδράνεια και την ανώτερη απόδοσή του, εξασφαλίζει την παραγωγή κρυστάλλων υψηλής ποιότητας με σταθερά αποτελέσματα. Εμπιστευτείτε τις καινοτόμες λύσεις μας για να βελτιώσετε τις διαδικασίες ανάπτυξης κρυστάλλων SiC με τη μέθοδο PVT και να επιτύχετε εξαιρετικά αποτελέσματα.

Κατά την ανάπτυξη μονοκρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου, ο δακτύλιος επίστρωσης CVD TaC διαδραματίζει κρίσιμο ρόλο στη διασφάλιση βέλτιστων αποτελεσμάτων. Οι ακριβείς διαστάσεις του και η υψηλής ποιότητας επίστρωση TaC επιτρέπουν την ομοιόμορφη κατανομή της θερμοκρασίας, ελαχιστοποιώντας τη θερμική καταπόνηση και προάγοντας την ποιότητα των κρυστάλλων. Η ανώτερη θερμική αγωγιμότητα της επίστρωσης TaC διευκολύνει την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, συμβάλλοντας σε βελτιωμένους ρυθμούς ανάπτυξης και βελτιωμένα χαρακτηριστικά κρυστάλλου. Η στιβαρή του κατασκευή και η εξαιρετική θερμική του σταθερότητα εξασφαλίζουν αξιόπιστη απόδοση και παρατεταμένη διάρκεια ζωής, μειώνοντας την ανάγκη για συχνές αντικαταστάσεις και ελαχιστοποιώντας το χρόνο διακοπής της παραγωγής.

Η χημική αδράνεια του δακτυλίου επικάλυψης CVD TaC είναι απαραίτητη για την πρόληψη ανεπιθύμητων αντιδράσεων και μόλυνσης κατά τη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων SiC. Παρέχει ένα προστατευτικό φράγμα, διατηρώντας την ακεραιότητα του κρυστάλλου και ελαχιστοποιώντας τις ακαθαρσίες. Αυτό συμβάλλει στην παραγωγή μονοκρυστάλλων υψηλής ποιότητας, χωρίς ελαττώματα, με εξαιρετικές ηλεκτρικές και οπτικές ιδιότητες.

Εκτός από την εξαιρετική του απόδοση, το CVD TaC Coating Ring έχει σχεδιαστεί για εύκολη εγκατάσταση και συντήρηση. Η συμβατότητά του με τον υπάρχοντα εξοπλισμό και η απρόσκοπτη ενσωμάτωση εξασφαλίζουν βελτιωμένη λειτουργία και αυξημένη παραγωγικότητα.

Βασιστείτε στον VeTek Semiconductor και τον δακτύλιο επίστρωσης CVD TaC για αξιόπιστη και αποτελεσματική απόδοση, τοποθετώντας σας στην πρώτη γραμμή της τεχνολογίας ανάπτυξης κρυστάλλων SiC.

Μέθοδος PVT Ανάπτυξη κρυστάλλων SiC:

SiC Crystal Growth Furnace:

Προδιαγραφές του δακτυλίου επικάλυψης CVD TaC:

Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC
Πυκνότητα	14,3 (g/cm³)
Ειδική ικανότητα εκπομπής	0.3
Συντελεστής θερμικής διαστολής	6,3 10-6/Κ
Σκληρότητα (HK)	2000 HK
Αντίσταση	1×10-5 Ohm*cm
Θερμική σταθερότητα	<2500℃
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη	-10~-20 μμ
Πάχος επίστρωσης	≥20um τυπική τιμή (35um±10um)

Βιομηχανική αλυσίδα:

Κατάστημα Παραγωγής

Hot Tags: Δαχτυλίδι επίστρωσης CVD TaC, Κίνα, Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Αγορά, Προηγμένο, Ανθεκτικό, Κατασκευασμένο στην Κίνα

Ετικέτα προϊόντος

Σχετική Κατηγορία