GaN σε δέκτη SiC epi
  • GaN σε δέκτη SiC epiGaN σε δέκτη SiC epi

GaN σε δέκτη SiC epi

Η VeTek Semiconductor είναι επαγγελματίας κατασκευαστής GaN on SiC epi susceptor, CVD SiC επίστρωση και CVD TAC COATING sceptor graphite στην Κίνα. Μεταξύ αυτών, το GaN στο SiC epi susceptor παίζει ζωτικό ρόλο στην επεξεργασία ημιαγωγών. Μέσω της εξαιρετικής θερμικής αγωγιμότητας, της ικανότητας επεξεργασίας σε υψηλές θερμοκρασίες και της χημικής σταθερότητας, διασφαλίζει την υψηλή απόδοση και ποιότητα υλικού της διαδικασίας επιταξιακής ανάπτυξης GaN. Ανυπομονούμε ειλικρινά για την περαιτέρω διαβούλευση σας.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Ως επαγγελματίαςκατασκευαστής ημιαγωγώνστην Κίνα,VeTek Semiconductor GaN σε δέκτη SiC epiαποτελεί βασικό συστατικό στη διαδικασία προετοιμασίας τουGaN σε SiCσυσκευές, και η απόδοσή του επηρεάζει άμεσα την ποιότητα του επιταξιακού στρώματος. Με την ευρεία εφαρμογή του GaN σε συσκευές SiC σε ηλεκτρονικά ισχύος, συσκευές RF και άλλους τομείς, οι απαιτήσεις γιαSiC epi δέκτηςθα γίνεται όλο και πιο ψηλά. Η VeTek Semiconductor εστιάζει στην παροχή της απόλυτης τεχνολογίας και λύσεων προϊόντων για τη βιομηχανία ημιαγωγών και καλωσορίζει τη συμβουλή σας.


Γενικά, οι ρόλοι του GaN στον επιδέκτη SiC epi στην επεξεργασία ημιαγωγών είναι οι ακόλουθοι:

Illustration of epitaxial structures of GaN on SiC


●  Δυνατότητα επεξεργασίας σε υψηλή θερμοκρασία: Το GaN on SiC epi susceptor (GaN με βάση τον επιταξιακό δίσκο ανάπτυξης καρβιδίου του πυριτίου) χρησιμοποιείται κυρίως στη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης νιτριδίου του γαλλίου (GaN), ειδικά σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας. Αυτός ο επιταξιακός δίσκος ανάπτυξης μπορεί να αντέξει εξαιρετικά υψηλές θερμοκρασίες επεξεργασίας, συνήθως μεταξύ 1000°C και 1500°C, καθιστώντας τον κατάλληλο για την επιταξιακή ανάπτυξη υλικών GaN και την επεξεργασία υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου (SiC).


●  Εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα: Ο υποδοχέας SiC epi πρέπει να έχει καλή θερμική αγωγιμότητα για να μεταφέρει ομοιόμορφα τη θερμότητα που παράγεται από την πηγή θέρμανσης στο υπόστρωμα SiC για να εξασφαλίσει ομοιομορφία θερμοκρασίας κατά τη διαδικασία ανάπτυξης. Το καρβίδιο του πυριτίου έχει εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα (περίπου 120-150 W/mK) και ο επιδέκτης GaN σε SiC Epitaxy μπορεί να μεταφέρει τη θερμότητα πιο αποτελεσματικά από τα παραδοσιακά υλικά όπως το πυρίτιο. Αυτό το χαρακτηριστικό είναι ζωτικής σημασίας στη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης νιτριδίου του γαλλίου επειδή βοηθά στη διατήρηση της ομοιομορφίας της θερμοκρασίας του υποστρώματος, βελτιώνοντας έτσι την ποιότητα και τη συνοχή του φιλμ.


●  Αποτρέψτε τη ρύπανση: Η διαδικασία επεξεργασίας υλικών και επιφανειών του GaN σε SiC Epi susceptor πρέπει να είναι σε θέση να αποτρέπει τη ρύπανση του περιβάλλοντος ανάπτυξης και να αποφεύγει την εισαγωγή ακαθαρσιών στο επιταξιακό στρώμα.


Ως επαγγελματίας κατασκευαστής τουGaN σε δέκτη SiC epi, Πορώδης γραφίτηςκαιΠλάκα επικάλυψης TaCστην Κίνα, η VeTek Semiconductor επιμένει πάντα στην παροχή εξατομικευμένων υπηρεσιών προϊόντων και δεσμεύεται να παρέχει στον κλάδο κορυφαίες λύσεις τεχνολογίας και προϊόντων. Ανυπομονούμε ειλικρινά στη διαβούλευση και τη συνεργασία σας.


CVD SIC ΕΠΙΚΑΛΥΨΗ ΦΙΜ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΔΟΜΗ

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Βασικές φυσικές ιδιότητες του CVD SiC Coating


Βασικές φυσικές ιδιότητες της επικάλυψης CVD SiC
Ιδιότητα επίστρωσης
Τυπική τιμή
Κρυσταλλική Δομή
Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη
Πυκνότητα επίστρωσης CVD SiC
3,21 g/cm³
Σκληρότητα
2500 Vickers σκληρότητα (500 g φορτίο)
Μέγεθος κόκκου
2~10μm
Χημική Καθαρότητα
99,99995%
Θερμοχωρητικότητα
640 J·kg-1·Κ-1
Θερμοκρασία εξάχνωσης
2700℃
Δύναμη κάμψης
415 MPa RT 4 σημείων
Το Modulus του Young
430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃
Θερμική αγωγιμότητα
300 W·m-1·Κ-1
Θερμική Διαστολή (CTE)
4,5×10-6K-1

VeTek Semiconductor GaN σε καταστήματα παραγωγής SiC epi δέκτης

GaN on SiC epi susceptor production shops


Hot Tags: GaN on SiC epi susceptor, Κίνα, Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Αγορά, Προηγμένο, Ανθεκτικό, Κατασκευασμένο στην Κίνα
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept