Ο δακτύλιος εκτροπέα με επίστρωση TaC της VeTek Semiconductor είναι ένα εξαιρετικά εξειδικευμένο εξάρτημα σχεδιασμένο για διαδικασίες ανάπτυξης κρυστάλλων SiC. Η επίστρωση TaC παρέχει εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και χημική αδράνεια για να αντιμετωπίσει τις υψηλές θερμοκρασίες και τα διαβρωτικά περιβάλλοντα κατά τη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων. Αυτό εξασφαλίζει σταθερή απόδοση και μεγάλη διάρκεια ζωής του εξαρτήματος, μειώνοντας τη συχνότητα αντικατάστασης και το χρόνο διακοπής λειτουργίας. Δεσμευόμαστε να παρέχουμε ποιοτικά προϊόντα σε ανταγωνιστικές τιμές και ανυπομονούμε να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.
Η VeTek Semiconductor είναι επαγγελματίας κατασκευαστής και προμηθευτής δαχτυλιδιών εκτροπέα με επίστρωση TaC της Κίνας. Ο δακτύλιος εκτροπέα με επίστρωση TaC είναι εξαιρετικά εξειδικευμένα εξαρτήματα σχεδιασμένα για χρήση σε διαδικασίες ανάπτυξης κρυστάλλων SiC. Αυτά τα εξαρτήματα είναι κρίσιμα σε περιβάλλοντα που απαιτούν αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, εξαιρετική ανθεκτικότητα και απαράμιλλη χημική αδράνεια.
Το TaC Coated Deflector Ring κατασκευάζεται από υψηλής καθαρότητας καρβίδιο τανταλίου, το οποίο προσφέρει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και θερμικό σοκ. Η επίστρωση TaC του εξαρτήματος παρέχει ένα επιπλέον στρώμα προστασίας από τις επιθετικές χημικές ουσίες και τα σκληρά περιβάλλοντα που είναι κοινά στην ανάπτυξη κρυστάλλων. Η παρουσία της επίστρωσης αυξάνει την ανθεκτικότητα και τη διάρκεια ζωής του εξαρτήματος, διατηρώντας σταθερή απόδοση σε πολλούς κύκλους.
Ο δακτύλιος εκτροπέα με επίστρωση TaC μπορεί να αντέξει θερμοκρασίες έως και 2200°C, καθιστώντας τον ιδανικό για διεργασίες υψηλής θερμοκρασίας. Ο δακτύλιος εκτροπής με επίστρωση TaC χρησιμοποιούνται κυρίως στη βιομηχανία ημιαγωγών, ειδικά για την ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου. Κατάλληλο τόσο για ερευνητικούς όσο και για βιομηχανικούς αντιδραστήρες ανάπτυξης κρυστάλλων.
Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC | |
Πυκνότητα | 14,3 (g/cm³) |
Ειδική ικανότητα εκπομπής | 0.3 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | 6,3 10-6/Κ |
Σκληρότητα (HK) | 2000 HK |
Αντίσταση | 1×10-5 Ohm*cm |
Θερμική σταθερότητα | <2500℃ |
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη | -10~-20 μμ |
Πάχος επίστρωσης | ≥20um τυπική τιμή (35um±10um) |