CVD TaC Coating Wafer Carrier

Κατά τη διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών, η VeTek Semiconductor’sCVD TaC Coating Wafer Carrierείναι ένας δίσκος που χρησιμοποιείται για τη μεταφορά γκοφρετών. Αυτό το προϊόν χρησιμοποιεί μια διαδικασία χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD) για την επικάλυψη ενός στρώματος επικάλυψης TaC στην επιφάνεια τουΥπόστρωμα Wafer Carrier. Αυτή η επίστρωση μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αντοχή στην οξείδωση και τη διάβρωση του φορέα γκοφρέτας, ενώ μειώνει τη μόλυνση των σωματιδίων κατά την επεξεργασία. Είναι ένα σημαντικό συστατικό στην επεξεργασία ημιαγωγών.

VeTek Semiconductor'sCVD TaC Coating Wafer Carrierαποτελείται από ένα υπόστρωμα και αεπίστρωση καρβιδίου τανταλίου (TaC)..

Το πάχος των επικαλύψεων καρβιδίου του τανταλίου είναι τυπικά στην περιοχή των 30 micron και το TaC έχει σημείο τήξης τόσο υψηλό όσο 3.880°C ενώ παρέχει εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση και τη φθορά, μεταξύ άλλων ιδιοτήτων.

Το υλικό βάσης του φορέα είναι κατασκευασμένο από γραφίτη υψηλής καθαρότητας ήκαρβίδιο του πυριτίου (SiC), και στη συνέχεια ένα στρώμα TaC (σκληρότητα Knoop έως 2000HK) επικαλύπτεται στην επιφάνεια μέσω μιας διαδικασίας CVD για τη βελτίωση της αντοχής στη διάβρωση και της μηχανικής αντοχής.

Το VeTek Semiconductor's CVD TaC Coating Wafer Carrier συνήθωςπαίζει τους ακόλουθους ρόλους κατά τη διάρκεια της διαδικασίας μεταφοράς της γκοφρέτας:

Φόρτωση και στερέωση γκοφρέτας: Η σκληρότητα Knoop του καρβιδίου του τανταλίου είναι τόσο υψηλή όσο 2000HK, γεγονός που μπορεί να εξασφαλίσει αποτελεσματικά τη σταθερή στήριξη της γκοφρέτας στον θάλαμο αντίδρασης. Σε συνδυασμό με την καλή θερμική αγωγιμότητα του TaC (η θερμική αγωγιμότητα είναι περίπου 21 W/mK), μπορεί να κάνει Η επιφάνεια του πλακιδίου να θερμαίνεται ομοιόμορφα και να διατηρεί ομοιόμορφη κατανομή θερμοκρασίας, η οποία βοηθά στην επίτευξη ομοιόμορφης ανάπτυξης του επιταξιακού στρώματος.

Μειώστε τη μόλυνση από σωματίδια: Η λεία επιφάνεια και η υψηλή σκληρότητα των επικαλύψεων CVD TaC συμβάλλουν στη μείωση της τριβής μεταξύ του φορέα και της γκοφρέτας, μειώνοντας έτσι τον κίνδυνο μόλυνσης από σωματίδια, που είναι το κλειδί για την κατασκευή συσκευών ημιαγωγών υψηλής ποιότητας.

Σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες: Κατά την επεξεργασία ημιαγωγών, οι πραγματικές θερμοκρασίες λειτουργίας είναι συνήθως μεταξύ 1.200°C και 1.600°C και οι επικαλύψεις TaC έχουν σημείο τήξης έως και 3.880°C. Σε συνδυασμό με τον χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής του (ο συντελεστής θερμικής διαστολής είναι περίπου 6,3 × 10-6/°C), ο φορέας μπορεί να διατηρήσει τη μηχανική του αντοχή και τη σταθερότητα των διαστάσεων του υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας, αποτρέποντας το ράγισμα ή την παραμόρφωση της πίεσης κατά την επεξεργασία.

Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) σε μικροσκοπική διατομή:

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επικάλυψης CVD TaC：