Ο πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου του τανταλίου είναι ένα απαραίτητο προϊόν στη διαδικασία επεξεργασίας ημιαγωγών, ειδικά στη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων SIC. Μετά από συνεχείς επενδύσεις Έρευνας και Ανάπτυξης και αναβαθμίσεις τεχνολογίας, η ποιότητα του προϊόντος με επικάλυψη πορώδους γραφίτη TaC της VeTek Semiconductor έχει κερδίσει υψηλούς επαίνους από Ευρωπαίους και Αμερικανούς πελάτες. Καλώς ήρθατε στην περαιτέρω διαβούλευση σας.
Ο πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου ημιαγωγός VeTek έχει γίνει κρύσταλλος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) λόγω της αντοχής του σε εξαιρετικά υψηλή θερμοκρασία (σημείο τήξης περίπου 3880°C), εξαιρετική θερμική σταθερότητα, μηχανική αντοχή και χημική αδράνεια σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας. Ένα απαραίτητο υλικό στη διαδικασία ανάπτυξης. Συγκεκριμένα, η πορώδης δομή του παρέχει πολλά τεχνικά πλεονεκτήματα για τοδιαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων.
● Βελτιώστε την απόδοση ροής αερίου και ελέγξτε με ακρίβεια τις παραμέτρους της διαδικασίας
Η μικροπορώδης δομή του πορώδους γραφίτη μπορεί να προάγει την ομοιόμορφη κατανομή των αερίων της αντίδρασης (όπως το αέριο καρβίδιο και το άζωτο), βελτιστοποιώντας έτσι την ατμόσφαιρα στη ζώνη αντίδρασης. Αυτό το χαρακτηριστικό μπορεί να αποφύγει αποτελεσματικά την τοπική συσσώρευση αερίου ή προβλήματα αναταράξεων, να εξασφαλίσει ότι οι κρύσταλλοι SiC καταπονούνται ομοιόμορφα σε όλη τη διαδικασία ανάπτυξης και ο ρυθμός ελαττωμάτων μειώνεται σημαντικά. Ταυτόχρονα, η πορώδης δομή επιτρέπει επίσης ακριβή ρύθμιση των κλίσεων πίεσης αερίου, βελτιστοποιώντας περαιτέρω τους ρυθμούς ανάπτυξης κρυστάλλων και βελτιώνοντας τη συνοχή του προϊόντος.
● Μειώστε τη συσσώρευση θερμικής καταπόνησης και βελτιώστε την ακεραιότητα των κρυστάλλων
Σε εργασίες σε υψηλές θερμοκρασίες, οι ελαστικές ιδιότητες του πορώδους καρβιδίου του τανταλίου (TaC) μετριάζουν σημαντικά τις συγκεντρώσεις θερμικής καταπόνησης που προκαλούνται από διαφορές θερμοκρασίας. Αυτή η ικανότητα είναι ιδιαίτερα σημαντική κατά την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC, μειώνοντας τον κίνδυνο σχηματισμού θερμικών ρωγμών, βελτιώνοντας έτσι την ακεραιότητα της κρυσταλλικής δομής και τη σταθερότητα της επεξεργασίας.
● Βελτιστοποιήστε τη διανομή θερμότητας και βελτιώστε την αποδοτικότητα χρήσης ενέργειας
Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου όχι μόνο δίνει στον πορώδη γραφίτη υψηλότερη θερμική αγωγιμότητα, αλλά τα πορώδη χαρακτηριστικά του μπορούν επίσης να κατανέμουν τη θερμότητα ομοιόμορφα, διασφαλίζοντας μια εξαιρετικά συνεπή κατανομή θερμοκρασίας εντός της περιοχής αντίδρασης. Αυτή η ομοιόμορφη θερμική διαχείριση είναι η βασική προϋπόθεση για την παραγωγή κρυστάλλου SiC υψηλής καθαρότητας. Μπορεί επίσης να βελτιώσει σημαντικά την απόδοση θέρμανσης, να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας και να κάνει τη διαδικασία παραγωγής πιο οικονομική και αποδοτική.
● Βελτιώστε την αντοχή στη διάβρωση και παρατείνετε τη διάρκεια ζωής του εξαρτήματος
Αέρια και παραπροϊόντα σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας (όπως η φάση υδρογόνου ή ατμού καρβιδίου του πυριτίου) μπορεί να προκαλέσουν σοβαρή διάβρωση στα υλικά. Το TaC Coating παρέχει ένα εξαιρετικό χημικό φράγμα στον πορώδη γραφίτη, μειώνοντας σημαντικά τον ρυθμό διάβρωσης του εξαρτήματος, επεκτείνοντας έτσι τη διάρκεια ζωής του. Επιπλέον, η επίστρωση εξασφαλίζει τη μακροπρόθεσμη σταθερότητα της πορώδους δομής, διασφαλίζοντας ότι δεν επηρεάζονται οι ιδιότητες μεταφοράς αερίου.
● Αποκλείει αποτελεσματικά τη διάχυση των ακαθαρσιών και εξασφαλίζει την κρυσταλλική καθαρότητα
Η μη επικαλυμμένη μήτρα γραφίτη μπορεί να απελευθερώσει ίχνη ακαθαρσιών και το TaC Coating λειτουργεί ως φράγμα απομόνωσης για να αποτρέψει τη διάχυση αυτών των ακαθαρσιών στον κρύσταλλο SiC σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας. Αυτό το εφέ θωράκισης είναι κρίσιμο για τη βελτίωση της καθαρότητας των κρυστάλλων και συμβάλλει στην κάλυψη των αυστηρών απαιτήσεων της βιομηχανίας ημιαγωγών για υψηλής ποιότητας υλικά SiC.
Ο πορώδες γραφίτης με επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου της VeTek βελτιώνει σημαντικά την απόδοση της διαδικασίας και την ποιότητα των κρυστάλλων βελτιστοποιώντας τη ροή αερίου, μειώνοντας τη θερμική καταπόνηση, βελτιώνοντας τη θερμική ομοιομορφία, ενισχύοντας την αντίσταση στη διάβρωση και αναστέλλοντας τη διάχυση ακαθαρσιών κατά τη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων SiC. Η εφαρμογή αυτού του υλικού όχι μόνο εξασφαλίζει υψηλή ακρίβεια και καθαρότητα στην παραγωγή, αλλά μειώνει επίσης σημαντικά το λειτουργικό κόστος, καθιστώντας το σημαντικό πυλώνα στη σύγχρονη κατασκευή ημιαγωγών.
Το πιο σημαντικό, η VeTeksemi έχει δεσμευτεί εδώ και καιρό να παρέχει προηγμένες λύσεις τεχνολογίας και προϊόντων στη βιομηχανία κατασκευής ημιαγωγών και υποστηρίζει προσαρμοσμένες υπηρεσίες προϊόντων από πορώδες γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου. Ανυπομονούμε ειλικρινά να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.
Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC |
|
Πυκνότητα επίστρωσης TaC |
14,3 (g/cm³) |
Ειδική ικανότητα εκπομπής |
0.3 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής |
6,3*10-6/Κ |
Σκληρότητα επίστρωσης TaC (HK) |
2000 HK |
Αντοχή επίστρωσης καρβιδίου τανταλίου |
1×10-5Ohm*cm |
Θερμική σταθερότητα |
<2500℃ |
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη |
-10~-20 μμ |
Πάχος επίστρωσης |
≥20um τυπική τιμή (35um±10um) |