Το VeTek Semiconductor'TaC Coating Planetary Susceptor είναι ένα εξαιρετικό προϊόν για εξοπλισμό επιταξίας Aixtron. Η στιβαρή επίστρωση TaC παρέχει εξαιρετική αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία και χημική αδράνεια. Αυτός ο μοναδικός συνδυασμός εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση και μεγάλη διάρκεια ζωής, ακόμη και σε απαιτητικά περιβάλλοντα. Η VeTek δεσμεύεται να παρέχει προϊόντα υψηλής ποιότητας και να λειτουργεί ως μακροπρόθεσμος συνεργάτης στην κινεζική αγορά με ανταγωνιστικές τιμές.
Στον τομέα της κατασκευής ημιαγωγών, το TaC Coating Planetary Susceptor διαδραματίζει κρίσιμο ρόλο. Χρησιμοποιείται ευρέως στην ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου (SiC) σε εξοπλισμό όπως το σύστημα Aixtron G5. Επιπλέον, όταν χρησιμοποιείται ως εξωτερικός δίσκος σε εναπόθεση επικάλυψης καρβιδίου του τανταλίου (TaC) για επιτάξεις SiC, το TaC Coating Planetary Susceptor παρέχει ουσιαστική υποστήριξη και σταθερότητα. Εξασφαλίζει ομοιόμορφη εναπόθεση του στρώματος καρβιδίου του τανταλίου, συμβάλλοντας στο σχηματισμό επιταξιακών στρωμάτων υψηλής ποιότητας με εξαιρετική μορφολογία επιφάνειας και επιθυμητό πάχος φιλμ. Η χημική αδράνεια της επίστρωσης TaC αποτρέπει ανεπιθύμητες αντιδράσεις και μόλυνση, διατηρώντας την ακεραιότητα των επιταξιακών στρωμάτων και διασφαλίζοντας την ανώτερη ποιότητά τους.
Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα της επίστρωσης TaC επιτρέπει την αποτελεσματική μεταφορά θερμότητας, προάγοντας την ομοιόμορφη κατανομή της θερμοκρασίας και ελαχιστοποιώντας τη θερμική καταπόνηση κατά τη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα την παραγωγή επιταξιακών στρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας με βελτιωμένες κρυσταλλογραφικές ιδιότητες και ενισχυμένη ηλεκτρική αγωγιμότητα.
Οι ακριβείς διαστάσεις και η στιβαρή κατασκευή του πλανητικού δίσκου επίστρωσης TaC καθιστούν εύκολη την ενσωμάτωση σε υπάρχοντα συστήματα, διασφαλίζοντας απρόσκοπτη συμβατότητα και αποτελεσματική λειτουργία. Η αξιόπιστη απόδοσή του και η υψηλής ποιότητας επίστρωση TaC συμβάλλουν σε σταθερά και ομοιόμορφα αποτελέσματα στις διαδικασίες επιτάξεως SiC.
Εμπιστευτείτε την VeTek Semiconductor και τον πλανητικό δίσκο μας με επίστρωση TaC για εξαιρετική απόδοση και αξιοπιστία στην επίταση SiC. Ζήστε τα πλεονεκτήματα των καινοτόμων λύσεών μας, τοποθετώντας σας στην πρώτη γραμμή των τεχνολογικών εξελίξεων στον κλάδο των ημιαγωγών.
Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC | |
Πυκνότητα | 14,3 (g/cm³) |
Ειδική ικανότητα εκπομπής | 0.3 |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | 6,3 10-6/Κ |
Σκληρότητα (HK) | 2000 HK |
Αντίσταση | 1×10-5 Ohm*cm |
Θερμική σταθερότητα | <2500℃ |
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη | -10~-20 μμ |
Πάχος επίστρωσης | ≥20um τυπική τιμή (35um±10um) |