Κεφαλή ντους SiC

Μπορείτε να είστε σίγουροι ότι θα αγοράσετε SiC Shower Head από το εργοστάσιό μας.

Τα υλικά καρβιδίου του πυριτίου έχουν έναν μοναδικό συνδυασμό εξαιρετικών θερμικών, ηλεκτρικών και χημικών ιδιοτήτων, καθιστώντας τα ιδανικά για εφαρμογές στη βιομηχανία ημιαγωγών όπου απαιτούνται υλικά υψηλής απόδοσης.

Η επαναστατική τεχνολογία της VeTek Semiconductor επιτρέπει την παραγωγή SiC Shower Head, ενός υλικού καρβιδίου του πυριτίου εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας που δημιουργείται μέσω της διαδικασίας χημικής εναπόθεσης ατμών.

Η κεφαλή ντους SiC είναι ένα κρίσιμο συστατικό στην κατασκευή ημιαγωγών, ειδικά σχεδιασμένο για συστήματα MOCVD, επιταξίες πυριτίου και επιτάξεις SiC. Κατασκευασμένο από ανθεκτικό στερεό καρβίδιο του πυριτίου (SiC), αυτό το εξάρτημα μπορεί να αντέξει τις ακραίες συνθήκες επεξεργασίας πλάσματος και εφαρμογών σε υψηλές θερμοκρασίες.

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι γνωστό για την υψηλή θερμική του αγωγιμότητα, την αντοχή στη χημική διάβρωση και την εξαιρετική μηχανική του αντοχή, καθιστώντας το ιδανικό υλικό για χύμα εξαρτήματα SiC όπως η κεφαλή ντους SiC. Η κεφαλή ντουζιέρας αερίου εξασφαλίζει ομοιόμορφη κατανομή των αερίων διεργασίας στην επιφάνεια της πλακέτας, η οποία είναι απαραίτητη για την παραγωγή επιταξιακών στρωμάτων υψηλής ποιότητας. Οι δακτύλιοι εστίασης και οι ακραίοι δακτύλιοι, συχνά κατασκευασμένοι από CVD-SiC, διατηρούν ομοιόμορφη κατανομή πλάσματος και προστατεύουν τον θάλαμο από μόλυνση, ενισχύοντας την αποτελεσματικότητα και την απόδοση της επιταξιακής ανάπτυξης.

Με τον ακριβή έλεγχο ροής αερίου και τις εξαιρετικές ιδιότητες του υλικού, η κεφαλή ντουζιέρας SiC αποτελεί βασικό συστατικό στη σύγχρονη επεξεργασία ημιαγωγών, υποστηρίζοντας προηγμένες εφαρμογές στην επιταξία πυριτίου και την επιταξία SiC.

Το VeTek Semiconductor προσφέρει μια κεφαλή ντους από πυροσυσσωματωμένη ημιαγωγική καρβίδιο του πυριτίου χαμηλής ειδικής αντίστασης. Έχουμε τη δυνατότητα να προσαρμόζουμε μηχανικούς και να προμηθεύουμε προηγμένα κεραμικά υλικά χρησιμοποιώντας μια ποικιλία μοναδικών δυνατοτήτων.

Παράμετρος προϊόντος της κεφαλής ντους SiC:

Κατάστημα Παραγωγής