Στην VeTek Semiconductor, ειδικευόμαστε στην έρευνα, ανάπτυξη και εκβιομηχάνιση της επίστρωσης CVD SiC και της επίστρωσης CVD TaC. Ένα υποδειγματικό προϊόν είναι το SiC Coating Cover Segments Inner, το οποίο υφίσταται εκτεταμένη επεξεργασία για να επιτευχθεί μια επιφάνεια CVD SiC με υψηλή ακρίβεια και πυκνή επίστρωση. Αυτή η επίστρωση επιδεικνύει εξαιρετική αντοχή στις υψηλές θερμοκρασίες και παρέχει ισχυρή αντιδιαβρωτική προστασία. Μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας για οποιαδήποτε απορία.
Το υψηλής ποιότητας SiC Coating Cover Segments Inner προσφέρεται από τον κινεζικό κατασκευαστή VeTek Semicondutor. Αγοράστε SiC Coating Cover Segments (Inner) που είναι υψηλής ποιότητας απευθείας με χαμηλή τιμή.
Τα προϊόντα VeTek Semiconductor SiC Coating Cover Segments(Inner) είναι βασικά εξαρτήματα που χρησιμοποιούνται σε προηγμένες διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών για το σύστημα Aixtron MOCVD.
Ακολουθεί μια ολοκληρωμένη περιγραφή που υπογραμμίζει την εφαρμογή και τα πλεονεκτήματα του προϊόντος:
Τα τμήματα κάλυψης πλήρους επικάλυψης SiC 14x4 ιντσών (εσωτερικά) προσφέρουν τα ακόλουθα πλεονεκτήματα και σενάρια εφαρμογής όταν χρησιμοποιούνται σε εξοπλισμό Aixtron:
Τέλεια εφαρμογή: Αυτά τα καλύμματα έχουν σχεδιαστεί και κατασκευαστεί με ακρίβεια για να εφαρμόζουν απρόσκοπτα τον εξοπλισμό Aixtron, εξασφαλίζοντας σταθερή και αξιόπιστη απόδοση.
Υλικό υψηλής καθαρότητας: Τα τμήματα καλύμματος είναι κατασκευασμένα από υλικά υψηλής καθαρότητας για να πληρούν τις αυστηρές απαιτήσεις καθαρότητας των διαδικασιών κατασκευής ημιαγωγών.
Αντίσταση σε υψηλές θερμοκρασίες: Τα καλύμματα παρουσιάζουν εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, διατηρώντας τη σταθερότητα χωρίς παραμόρφωση ή ζημιά σε συνθήκες διεργασίας υψηλής θερμοκρασίας.
Εξαιρετική χημική αδράνεια: Με εξαιρετική χημική αδράνεια, αυτά τα τμήματα κάλυψης αντιστέκονται στη χημική διάβρωση και την οξείδωση, παρέχοντας ένα αξιόπιστο προστατευτικό στρώμα και επεκτείνοντας την απόδοση και τη διάρκεια ζωής τους.
Επίπεδη επιφάνεια και ακριβής κατεργασία: Τα τμήματα κάλυψης διαθέτουν λεία και ομοιόμορφη επιφάνεια, που επιτυγχάνεται μέσω ακριβούς μηχανικής κατεργασίας. Αυτό εξασφαλίζει εξαιρετική συμβατότητα με άλλα εξαρτήματα του εξοπλισμού Aixtron και παρέχει βέλτιστη απόδοση διαδικασίας.
Με την ενσωμάτωση των τμημάτων πλήρους εσωτερικού καλύμματος 14x4 ιντσών στον εξοπλισμό Aixtron, μπορούν να επιτευχθούν διαδικασίες ανάπτυξης λεπτής μεμβράνης ημιαγωγών υψηλής ποιότητας. Αυτά τα τμήματα κάλυψης διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο στην παροχή μιας σταθερής και αξιόπιστης βάσης για ανάπτυξη λεπτής μεμβράνης.
Δεσμευόμαστε να παρέχουμε προϊόντα υψηλής ποιότητας που ενσωματώνονται άψογα με τον εξοπλισμό Aixtron. Είτε πρόκειται για βελτιστοποίηση διαδικασίας είτε για ανάπτυξη νέου προϊόντος, είμαστε εδώ για να παρέχουμε τεχνική υποστήριξη και να λύσουμε οποιαδήποτε απορία έχετε.
Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC | |
Ιδιοκτησία | Τυπική αξία |
Κρυσταλλική Δομή | Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη |
Πυκνότητα | 3,21 g/cm³ |
Σκληρότητα | 2500 Vickers σκληρότητα (500 g φορτίο) |
Grain SiZe | 2~10μm |
Χημική Καθαρότητα | 99,99995% |
Θερμοχωρητικότητα | 640 J·kg-1·K-1 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης | 2700℃ |
Δύναμη κάμψης | 415 MPa RT 4 σημείων |
Το Modulus του Young | 430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃ |
Θερμική αγωγιμότητα | 300W·m-1·K-1 |
Θερμική διαστολή (CTE) | 4,5×10-6K-1 |