Το VeTek Semiconductor's Semiconductor susceptor block SiC με επίστρωση είναι μια εξαιρετικά αξιόπιστη και ανθεκτική συσκευή. Είναι σχεδιασμένο να αντέχει σε υψηλές θερμοκρασίες και σκληρά χημικά περιβάλλοντα, διατηρώντας παράλληλα σταθερή απόδοση και μεγάλη διάρκεια ζωής. Με τις εξαιρετικές του δυνατότητες επεξεργασίας, το Semiconductor Susceptor Block SiC Coated μειώνει τη συχνότητα αντικατάστασης και συντήρησης, βελτιώνοντας έτσι την απόδοση παραγωγής. Ανυπομονούμε για την ευκαιρία να συνεργαστούμε μαζί σας.
Υψηλής ποιότητας μπλοκ υποδοχέα ημιαγωγών με επίστρωση SiC προσφέρεται από τον κινεζικό κατασκευαστή VeTek Semiconductor. Αγοράστε μπλοκ υποδοχέα ημιαγωγών με επίστρωση SiC που είναι υψηλής ποιότητας απευθείας από το εργοστάσιο.
Το VeTek Semiconductor's Semiconductor susceptor block SiC επικαλυμμένο, είναι ειδικά σχεδιασμένο για χρήση σε συστήματα VEECO GaN και χρησιμοποιεί τεχνολογία MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Αυτό το μπλοκ υποδοχέα είναι ένα ζωτικής σημασίας συστατικό, κατασκευασμένο από υλικό γραφίτη υψηλής καθαρότητας, υψηλής πυκνότητας και υψηλής αντοχής. Είναι επικαλυμμένο με την αποκλειστική μας επίστρωση CVD SiC, η οποία εξασφαλίζει εξαιρετική πρόσφυση, παρατείνει τη διάρκεια ζωής του προϊόντος και εγγυάται ομοιόμορφη θέρμανση κατά τη διαδικασία κατασκευής.
Η πυκνή επίστρωση του Semiconductor susceptor block SiC επικάλυψης ενισχύει την ανθεκτικότητα και την αξιοπιστία του, ενώ παράλληλα εξασφαλίζει συνεπή και ομοιόμορφη κατανομή θερμότητας. Αυτό συμβάλλει άμεσα στην υψηλή απόδοση του προϊόντος κατά την επεξεργασία. Συνδυάζοντας υψηλής ποιότητας υλικό γραφίτη με την προηγμένη επίστρωση CVD SiC, έχουμε επιτύχει ένα προϊόν με ανώτερη απόδοση και εκτεταμένη διάρκεια ζωής.
Το Semiconductor Susceptor Block SiC Coated παίζει καθοριστικό ρόλο στη διατήρηση της βέλτιστης ομοιομορφίας θερμοκρασίας και στην ενίσχυση της συνολικής απόδοσης της διαδικασίας κατασκευής. Οι εξαιρετικές ιδιότητες επίστρωσης και η στιβαρή κατασκευή του εξασφαλίζουν αξιόπιστη απόδοση και μακροζωία. Με αυτό το προϊόν, μπορείτε να επιτύχετε υψηλές αποδόσεις επεξεργασίας και ανώτερη ποιότητα προϊόντος.
Δεσμευόμαστε να σας παρέχουμε μια λύση υψηλής απόδοσης που καλύπτει τις συγκεκριμένες ανάγκες σας στα συστήματα VEECO GaN. Το Semiconductor Susceptor μας θέτει τα βιομηχανικά πρότυπα για ανθεκτικότητα, ομοιομορφία και αξιοπιστία, διασφαλίζοντας ότι οι διαδικασίες κατασκευής σας είναι αποτελεσματικές και παραγωγικές.
Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC | |
Ιδιοκτησία | Τυπική αξία |
Κρυσταλλική Δομή | Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη |
Πυκνότητα | 3,21 g/cm³ |
Σκληρότητα | 2500 Vickers σκληρότητα (500 g φορτίο) |
Grain SiZe | 2~10μm |
Χημική Καθαρότητα | 99,99995% |
Θερμοχωρητικότητα | 640 J·kg-1·K-1 |
Θερμοκρασία εξάχνωσης | 2700℃ |
Δύναμη κάμψης | 415 MPa RT 4 σημείων |
Το Modulus του Young | 430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃ |
Θερμική αγωγιμότητα | 300W·m-1·K-1 |
Θερμική Διαστολή (CTE) | 4,5×10-6K-1 |