Υποδοχέας Epi με επικάλυψη SiC

Ως ο κορυφαίος εγχώριος κατασκευαστής επικαλύψεων καρβιδίου του πυριτίου και καρβιδίου του τανταλίου, η VeTek Semiconductor είναι σε θέση να παρέχει μηχανική κατεργασία ακριβείας και ομοιόμορφη επίστρωση του SiC Coated Epi Susceptor, ελέγχοντας αποτελεσματικά την καθαρότητα της επίστρωσης και του προϊόντος κάτω από 5 ppm. Η διάρκεια ζωής του προϊόντος είναι συγκρίσιμη με αυτή του SGL. Καλώς ήρθατε να μας ρωτήσετε.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

Μπορείτε να είστε σίγουροι ότι θα αγοράσετε το SiC Coated Epi Susceptor από το εργοστάσιό μας.

Το VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor is Epitaxial barrel είναι ένα ειδικό εργαλείο για τη διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης ημιαγωγών με πολλά πλεονεκτήματα:

Αποτελεσματική παραγωγική ικανότητα: Το SiC Coated Epi Susceptor μπορεί να φιλοξενήσει πολλαπλές γκοφρέτες, καθιστώντας δυνατή την ταυτόχρονη επιταξιακή ανάπτυξη πολλαπλών πλακιδίων. Αυτή η αποδοτική παραγωγική ικανότητα μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αποδοτικότητα της παραγωγής και να μειώσει τους κύκλους παραγωγής και το κόστος.

Βελτιστοποιημένος έλεγχος θερμοκρασίας: Το SiC Coated Epi Susceptor είναι εξοπλισμένο με ένα προηγμένο σύστημα ελέγχου θερμοκρασίας για τον ακριβή έλεγχο και τη διατήρηση της επιθυμητής θερμοκρασίας ανάπτυξης. Ο σταθερός έλεγχος θερμοκρασίας βοηθά στην επίτευξη ομοιόμορφης ανάπτυξης επιταξιακού στρώματος και στη βελτίωση της ποιότητας και της συνοχής του επιταξιακού στρώματος.

Ομοιόμορφη κατανομή ατμόσφαιρας: Το SiC Coated Epi Susceptor παρέχει ομοιόμορφη κατανομή ατμόσφαιρας κατά την ανάπτυξη, διασφαλίζοντας ότι κάθε γκοφρέτα εκτίθεται στις ίδιες συνθήκες ατμόσφαιρας. Αυτό βοηθά στην αποφυγή διαφορών ανάπτυξης μεταξύ των γκοφρετών και βελτιώνει την ομοιομορφία του επιταξιακού στρώματος.

Αποτελεσματικός έλεγχος ακαθαρσιών: Ο σχεδιασμός Epi Susceptor με επικάλυψη SiC βοηθά στη μείωση της εισαγωγής και της διάχυσης ακαθαρσιών. Μπορεί να παρέχει καλή στεγανοποίηση και έλεγχο της ατμόσφαιρας, να μειώσει την επίδραση των ακαθαρσιών στην ποιότητα του επιταξιακού στρώματος και, συνεπώς, να βελτιώσει την απόδοση και την αξιοπιστία της συσκευής.

Ευέλικτη ανάπτυξη διεργασιών: Το SiC Coated Epi Susceptor έχει ευέλικτες δυνατότητες ανάπτυξης διεργασιών που επιτρέπουν γρήγορη προσαρμογή και βελτιστοποίηση των παραμέτρων ανάπτυξης. Αυτό δίνει τη δυνατότητα σε ερευνητές και μηχανικούς να διεξάγουν ταχεία ανάπτυξη και βελτιστοποίηση διεργασιών για την κάλυψη των επιταξιακών αναγκών ανάπτυξης διαφορετικών εφαρμογών και απαιτήσεων.

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC:

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC
Ιδιοκτησία	Τυπική αξία
Κρυσταλλική Δομή	Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη
Πυκνότητα	3,21 g/cm³
Σκληρότητα	2500 Vickers σκληρότητα (500 g φορτίο)
Grain SiZe	2~10μm
Χημική Καθαρότητα	99,99995%
Θερμοχωρητικότητα	640 J·kg-1·K-1
Θερμοκρασία εξάχνωσης	2700℃
Δύναμη κάμψης	415 MPa RT 4 σημείων
Το Modulus του Young	430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃
Θερμική αγωγιμότητα	300W·m-1·K-1
Θερμική Διαστολή (CTE)	4,5×10-6K-1

Κατάστημα παραγωγής ημιαγωγών VeTek

Επισκόπηση της αλυσίδας βιομηχανίας επιταξίας τσιπ ημιαγωγών:

Hot Tags: SiC Coated Epi Susceptor, Κίνα, Κατασκευαστής, Προμηθευτής, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Αγορά, Προηγμένο, Ανθεκτικό, Κατασκευασμένο στην Κίνα

Ετικέτα προϊόντος

Σχετική Κατηγορία