Γνωρίζετε για το MOCVD Susceptor;

Στη διαδικασία χημικής εναπόθεσης ατμών μετάλλου-οργανικού (MOCVD), ο υποδοχέας είναι ένα βασικό συστατικό που είναι υπεύθυνο για την υποστήριξη της γκοφρέτας και τη διασφάλιση της ομοιομορφίας και του ακριβούς ελέγχου της διαδικασίας εναπόθεσης. Η επιλογή του υλικού και τα χαρακτηριστικά του προϊόντος επηρεάζουν άμεσα τη σταθερότητα της επιταξιακής διαδικασίας και την ποιότητα του προϊόντος.

Δέκτης MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) είναι ένα βασικό συστατικό διεργασίας στην κατασκευή ημιαγωγών. Χρησιμοποιείται κυρίως στη διαδικασία MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) για την υποστήριξη και τη θέρμανση της γκοφρέτας για εναπόθεση λεπτής μεμβράνης. Ο σχεδιασμός και η επιλογή υλικού του υποδοχέα είναι ζωτικής σημασίας για την ομοιομορφία, την αποτελεσματικότητα και την ποιότητα του τελικού προϊόντος.

Τύπος προϊόντος και επιλογή υλικού:

Ο σχεδιασμός και η επιλογή υλικού του MOCVD Susceptor είναι ποικίλοι, συνήθως καθορίζονται από τις απαιτήσεις της διαδικασίας και τις συνθήκες αντίδρασης.Ακολουθούν οι συνήθεις τύποι προϊόντων και τα υλικά τους:

Επικαλυμμένο με SiC Susceptor(Υποδοχέας με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου):

Περιγραφή: Υποδοχέας με επίστρωση SiC, με γραφίτη ή άλλα υλικά υψηλής θερμοκρασίας ως υπόστρωμα, και επίστρωση CVD SiC (CVD SiC Coating) στην επιφάνεια για βελτίωση της αντοχής στη φθορά και της αντοχής στη διάβρωση.

Εφαρμογή: Χρησιμοποιείται ευρέως σε διεργασίες MOCVD σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και εξαιρετικά διαβρωτικά αέρια, ειδικά σε επιτάξεις πυριτίου και εναπόθεση σύνθετων ημιαγωγών.

Επικαλυμμένο με TaC Susceptor:

Περιγραφή: Το Susceptor με επίστρωση TaC (CVD TaC Coating) ως κύριο υλικό έχει εξαιρετικά υψηλή σκληρότητα και χημική σταθερότητα και είναι κατάλληλο για χρήση σε εξαιρετικά διαβρωτικά περιβάλλοντα.

Εφαρμογή: Χρησιμοποιείται σε διεργασίες MOCVD που απαιτούν υψηλότερη αντοχή στη διάβρωση και μηχανική αντοχή, όπως η εναπόθεση νιτριδίου του γαλλίου (GaN) και αρσενιδίου του γαλλίου (GaAs).

Υποδοχέας γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου για MOCVD:

Περιγραφή: Το υπόστρωμα είναι γραφίτης και η επιφάνεια καλύπτεται με μια στρώση CVD SiC για να εξασφαλίσει σταθερότητα και μεγάλη διάρκεια ζωής σε υψηλές θερμοκρασίες.

Εφαρμογή: Κατάλληλο για χρήση σε εξοπλισμό όπως αντιδραστήρες Aixtron MOCVD για την κατασκευή υψηλής ποιότητας σύνθετων ημιαγωγών υλικών.

Υποδοχέας EPI (υποδοχέας επιτάξεως):

Περιγραφή: Υποδοχέας ειδικά σχεδιασμένος για διαδικασία επιταξιακής ανάπτυξης, συνήθως με επίστρωση SiC ή επίστρωση TaC για την ενίσχυση της θερμικής αγωγιμότητας και της αντοχής του.

Εφαρμογή: Στην επιταξία πυριτίου και την επιταξία σύνθετων ημιαγωγών, χρησιμοποιείται για την εξασφάλιση ομοιόμορφης θέρμανσης και εναπόθεσης γκοφρετών.

Κύριος ρόλος του Susceptor για MOCVD στην επεξεργασία ημιαγωγών:

Υποστήριξη γκοφρέτας και ομοιόμορφη θέρμανση:

Λειτουργία: Το Susceptor χρησιμοποιείται για την υποστήριξη γκοφρετών στους αντιδραστήρες MOCVD και για την παροχή ομοιόμορφης κατανομής θερμότητας μέσω επαγωγικής θέρμανσης ή άλλων μεθόδων για την εξασφάλιση ομοιόμορφης εναπόθεσης φιλμ.

Αγωγή θερμότητας και σταθερότητα:

Λειτουργία: Η θερμική αγωγιμότητα και η θερμική σταθερότητα των υλικών Susceptor είναι ζωτικής σημασίας. Το SiC Coated Susceptor και το TaC Coated Susceptor μπορούν να διατηρήσουν σταθερότητα σε διεργασίες υψηλής θερμοκρασίας λόγω της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας και της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, αποφεύγοντας ελαττώματα φιλμ που προκαλούνται από ανομοιόμορφη θερμοκρασία.

Αντοχή στη διάβρωση και μεγάλη διάρκεια ζωής:

Λειτουργία: Στη διαδικασία MOCVD, το Susceptor εκτίθεται σε διάφορα χημικά πρόδρομα αέρια. Το SiC Coating και το TaC Coating παρέχουν εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση, μειώνουν την αλληλεπίδραση μεταξύ της επιφάνειας του υλικού και του αερίου αντίδρασης και παρατείνουν τη διάρκεια ζωής του Susceptor.

Βελτιστοποίηση περιβάλλοντος αντίδρασης:

Λειτουργία: Με τη χρήση Susceptors υψηλής ποιότητας, η ροή αερίου και το πεδίο θερμοκρασίας στον αντιδραστήρα MOCVD βελτιστοποιούνται, διασφαλίζοντας ομοιόμορφη διαδικασία εναπόθεσης φιλμ και βελτιώνοντας την απόδοση και την απόδοση της συσκευής. Συνήθως χρησιμοποιείται σε Susceptors για αντιδραστήρες MOCVD και εξοπλισμό Aixtron MOCVD.

Χαρακτηριστικά Προϊόντος και Τεχνικά Πλεονεκτήματα：

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα και θερμική σταθερότητα:

Χαρακτηριστικά: Οι επικαλυμμένοι με SiC και TaC Susceptors έχουν εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα, μπορούν να κατανέμουν γρήγορα και ομοιόμορφα τη θερμότητα και να διατηρούν τη δομική σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες για να εξασφαλίσουν ομοιόμορφη θέρμανση των πλακών.

Πλεονεκτήματα: Κατάλληλο για διεργασίες MOCVD που απαιτούν ακριβή έλεγχο θερμοκρασίας, όπως η επιταξιακή ανάπτυξη σύνθετων ημιαγωγών όπως το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) και το αρσενίδιο του γαλλίου (GaAs).

Εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση:

Χαρακτηριστικά: Το CVD SiC Coating και το CVD TaC Coating έχουν εξαιρετικά υψηλή χημική αδράνεια και μπορούν να αντισταθούν στη διάβρωση από εξαιρετικά διαβρωτικά αέρια όπως χλωρίδια και φθόριο, προστατεύοντας το υπόστρωμα του Susceptor από ζημιά.

Πλεονεκτήματα: Επέκταση της διάρκειας ζωής του Susceptor, μείωση της συχνότητας συντήρησης και βελτίωση της συνολικής αποτελεσματικότητας της διαδικασίας MOCVD.

Υψηλή μηχανική αντοχή και σκληρότητα:

Χαρακτηριστικά: Η υψηλή σκληρότητα και η μηχανική αντοχή των επικαλύψεων SiC και TaC επιτρέπουν στο Susceptor να αντέχει τη μηχανική καταπόνηση σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής πίεσης και να διατηρεί μακροπρόθεσμη σταθερότητα και ακρίβεια.

Πλεονεκτήματα: Ιδιαίτερα κατάλληλο για διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών που απαιτούν υψηλή ακρίβεια, όπως επιταξιακή ανάπτυξη και εναπόθεση χημικών ατμών.

Προοπτικές Εφαρμογής και Ανάπτυξης Αγοράς

Δέκτης MOCVDsχρησιμοποιούνται ευρέως στην κατασκευή LED υψηλής φωτεινότητας, ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος (όπως HEMT που βασίζονται σε GaN), ηλιακών κυψελών και άλλων οπτοηλεκτρονικών συσκευών. Με την αυξανόμενη ζήτηση για συσκευές ημιαγωγών υψηλότερης απόδοσης και χαμηλότερης κατανάλωσης ενέργειας, η τεχνολογία MOCVD συνεχίζει να προοδεύει, οδηγώντας την καινοτομία στα υλικά και τα σχέδια Susceptor. Για παράδειγμα, ανάπτυξη τεχνολογίας επίστρωσης SiC με υψηλότερη καθαρότητα και χαμηλότερη πυκνότητα ελαττώματος και βελτιστοποίηση του δομικού σχεδιασμού του Susceptor για προσαρμογή σε μεγαλύτερα πλακίδια και πιο περίπλοκες επιταξιακές διεργασίες πολλαπλών στρωμάτων.

Η VeTek Semiconductor Technology Co., LTD είναι κορυφαίος πάροχος προηγμένων υλικών επίστρωσης για τη βιομηχανία ημιαγωγών. Η εταιρεία μας επικεντρώνεται στην ανάπτυξη λύσεων αιχμής για τον κλάδο.

Οι κύριες προσφορές προϊόντων μας περιλαμβάνουν επιστρώσεις καρβιδίου του πυριτίου CVD (SiC), επικαλύψεις καρβιδίου τανταλίου (TaC), χύμα SiC, σκόνες SiC και υλικά SiC υψηλής καθαρότητας, επικαλυμμένο με SiC υποδοχέα γραφίτη, δακτυλίους προθέρμανσης, δακτύλιο εκτροπής με επίστρωση TaC, εξαρτήματα μισοφέγγαρου κ.λπ. ., η καθαρότητα είναι κάτω από 5 ppm, μπορεί να καλύψει τις απαιτήσεις των πελατών.

Η VeTek semiconductor επικεντρώνεται στην ανάπτυξη τεχνολογίας αιχμής και λύσεων ανάπτυξης προϊόντων για τη βιομηχανία ημιαγωγών. Ελπίζουμε ειλικρινά να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.