CVD SiC Pancake Susceptor

Ανώτερες φυσικές ιδιότητες

VeTek Semiconductor Το CVD SiC Pancake Susceptor κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας την τελευταία τεχνολογία χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD) για να εξασφαλίσει εξαιρετική ανθεκτικότητα και προσαρμοστικότητα σε ακραίες θερμοκρασίες. Οι κύριες φυσικές του ιδιότητες είναι οι ακόλουθες:

● Θερμική σταθερότητα: Η υψηλή θερμική σταθερότητα του CVD SiC εξασφαλίζει σταθερή απόδοση σε συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας.

● Χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής: Το υλικό έχει εξαιρετικά χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής, ο οποίος ελαχιστοποιεί τη στρέβλωση και την παραμόρφωση που προκαλείται από τις αλλαγές θερμοκρασίας.

● Αντοχή στη χημική διάβρωση: Η εξαιρετική αντοχή στα χημικά του επιτρέπει να διατηρεί υψηλή απόδοση σε διάφορα σκληρά περιβάλλοντα.

Ακριβής υποστήριξη και βελτιστοποιημένη μεταφορά θερμότητας

Η επίστρωση SiC με βάση το Pancake Susceptor της VeTekSemi έχει σχεδιαστεί για να φιλοξενεί γκοφρέτες ημιαγωγών και να παρέχει εξαιρετική υποστήριξη κατά την επιταξιακή εναπόθεση. Το SiC Pancake Susceptor έχει σχεδιαστεί χρησιμοποιώντας προηγμένη τεχνολογία υπολογιστικής προσομοίωσης για την ελαχιστοποίηση της παραμόρφωσης και της παραμόρφωσης κάτω από διαφορετικές συνθήκες θερμοκρασίας και πίεσης. Ο τυπικός συντελεστής θερμικής διαστολής του είναι περίπου 4,0 × 10^^-6/°C, πράγμα που σημαίνει ότι η σταθερότητα των διαστάσεων του είναι σημαντικά καλύτερη από τα παραδοσιακά υλικά σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, διασφαλίζοντας έτσι τη συνοχή του πάχους του πλακιδίου (συνήθως 200 mm έως 300 mm).

Επιπλέον, το CVD Pancake Susceptor υπερέχει στη μεταφορά θερμότητας, με θερμική αγωγιμότητα έως και 120 W/m·K. Αυτή η υψηλή θερμική αγωγιμότητα μπορεί να μεταφέρει γρήγορα και αποτελεσματικά τη θερμότητα, να ενισχύσει την ομοιομορφία θερμοκρασίας μέσα στον κλίβανο, να εξασφαλίσει ομοιόμορφη κατανομή θερμότητας κατά την επιταξιακή εναπόθεση και να μειώσει τα ελαττώματα εναπόθεσης που προκαλούνται από ανομοιόμορφη θερμότητα. Η βελτιστοποιημένη απόδοση μεταφοράς θερμότητας είναι κρίσιμη για τη βελτίωση της ποιότητας εναπόθεσης, η οποία μπορεί να μειώσει αποτελεσματικά τις διακυμάνσεις της διαδικασίας και να βελτιώσει την απόδοση.

Μέσω αυτών των βελτιστοποιήσεων σχεδιασμού και απόδοσης, το CVD SiC Pancake Susceptor της VeTek Semiconductor παρέχει μια σταθερή βάση για την κατασκευή ημιαγωγών, διασφαλίζοντας αξιοπιστία και συνέπεια κάτω από σκληρές συνθήκες επεξεργασίας και πληρώντας τις αυστηρές απαιτήσεις της σύγχρονης βιομηχανίας ημιαγωγών για υψηλή ακρίβεια και ποιότητα.

CVD SIC FILM ΚΡΥΣΤΑΛΙΚΗ ΔΟΜΗ

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD SiC
Ιδιοκτησία	Τυπική τιμή
Κρυσταλλική Δομή	Πολυκρυσταλλική φάση β FCC, κυρίως (111) προσανατολισμένη
Πυκνότητα	3,21 g/cm³
Σκληρότητα	2500 Vickers σκληρότητα (500 g φορτίο)
Grain SiZe	2~10μm
Χημική Καθαρότητα	99,99995%
Θερμοχωρητικότητα	640 J·kg-1·Κ-1
Θερμοκρασία εξάχνωσης	2700℃
Δύναμη κάμψης	415 MPa RT 4 σημείων
Το Modulus του Young	430 Gpa 4pt κάμψη, 1300℃
Θερμική αγωγιμότητα	300 W·m-1·Κ-1
Θερμική Διαστολή (CTE)	4,5×10-6K-1