Υπόστρωμα 4Η Ημιμονωτικού τύπου SiC

Το Vetek Semiconductor 4H Semi Insulating Type SiC διαδραματίζει πολλούς βασικούς ρόλους στη διαδικασία επεξεργασίας ημιαγωγών. Σε συνδυασμό με την υψηλή αντίσταση, την υψηλή θερμική αγωγιμότητα, το ευρύ διάκενο ζώνης και άλλες ιδιότητες, χρησιμοποιείται ευρέως σε πεδία υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας, ειδικά σε εφαρμογές μικροκυμάτων και ραδιοσυχνοτήτων. Είναι ένα απαραίτητο συστατικό προϊόν στη διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών.

Η ειδική ειδική αντίσταση του υποστρώματος ημιμονωτικού τύπου SiC Vetek Semiconductor 4H είναι συνήθως μεταξύ 10^6 Ω·cm και 10^9 Ω·cm. Αυτή η υψηλή ειδική αντίσταση μπορεί να καταστείλει τα παρασιτικά ρεύματα και να μειώσει τις παρεμβολές σήματος, ειδικά σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Το πιο σημαντικό, η υψηλή ειδική αντίσταση του υποστρώματος SiC τύπου 4H SI έχει εξαιρετικά χαμηλό ρεύμα διαρροής υπό υψηλή θερμοκρασία και υψηλή πίεση, γεγονός που μπορεί να εξασφαλίσει τη σταθερότητα και την αξιοπιστία της συσκευής.

Η ισχύς ηλεκτρικού πεδίου διάσπασης του υποστρώματος SiC τύπου 4H SI είναι τόσο υψηλή όσο 2,2-3,0 MV/cm, γεγονός που καθορίζει ότι το υπόστρωμα SiC τύπου 4H SI μπορεί να αντέξει υψηλότερες τάσεις χωρίς διακοπή, επομένως το προϊόν είναι πολύ κατάλληλο για εργασία κάτω από συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος. Το πιο σημαντικό είναι ότι το υπόστρωμα SiC τύπου 4H SI έχει μεγάλο διάκενο ζώνης περίπου 3,26 eV, ώστε το προϊόν να διατηρεί εξαιρετική απόδοση μόνωσης σε υψηλή θερμοκρασία και υψηλή τάση και να μειώνει τον ηλεκτρονικό θόρυβο.

Επιπλέον, η θερμική αγωγιμότητα του υποστρώματος SiC τύπου 4H SI είναι περίπου 4,9 W/cm·K, επομένως αυτό το προϊόν μπορεί να μειώσει αποτελεσματικά το πρόβλημα της συσσώρευσης θερμότητας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και να παρατείνει τη διάρκεια ζωής της συσκευής. Κατάλληλο για ηλεκτρονικές συσκευές σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.

Με την ανάπτυξη μιας επιταξιακής στρώσης GaN σε ένα ημιμονωτικό υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, η επιταξιακή γκοφρέτα GaN με βάση το καρβίδιο του πυριτίου μπορεί περαιτέρω να μετατραπεί σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων μικροκυμάτων όπως το HEMT, που χρησιμοποιούνται στην επικοινωνία πληροφοριών, την ανίχνευση ραδιοφώνου και άλλα πεδία.

Η Vetek Semiconductor επιδιώκει συνεχώς υψηλότερη ποιότητα κρυστάλλου και ποιότητα επεξεργασίας για να καλύψει τις ανάγκες των πελατών. Επί του παρόντος, είναι διαθέσιμα προϊόντα 4 ιντσών και 6 ιντσών και προϊόντα 8 ιντσών βρίσκονται υπό ανάπτυξη. 

Ημιμονωτικό Υπόστρωμα SiC ΒΑΣΙΚΕΣ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ:

Ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΩΝ:

Μέθοδος και ορολογία ανίχνευσης υποστρώματος 4H ημιμονωτικού τύπου SiC: