Χωνευτήριο για μονοκρυσταλλικό πυρίτιο

Στη μέθοδο CZ (Czochralski), ένας μόνο κρύσταλλος αναπτύσσεται φέρνοντας έναν μονοκρυσταλλικό σπόρο σε επαφή με τηγμένο πολυκρυσταλλικό πυρίτιο. Ο σπόρος τραβιέται σταδιακά προς τα πάνω ενώ περιστρέφεται αργά. Σε αυτή τη διαδικασία, χρησιμοποιείται ένας σημαντικός αριθμός τμημάτων γραφίτη, καθιστώντας τη μέθοδο που χρησιμοποιεί τη μεγαλύτερη ποσότητα συστατικών γραφίτη στην κατασκευή ημιαγωγών πυριτίου.

Η παρακάτω εικόνα παρέχει μια σχηματική αναπαράσταση ενός κλιβάνου παραγωγής μονοκρυστάλλου πυριτίου με βάση τη μέθοδο CZ.

Το χωνευτήρι Vetek Semiconductor's Crucible for Monocrystalline Silicon παρέχει ένα σταθερό και ελεγχόμενο περιβάλλον ζωτικής σημασίας για τον ακριβή σχηματισμό κρυστάλλων ημιαγωγών. Διαδραματίζουν καθοριστικό ρόλο στην καλλιέργεια πλινθωμάτων μονοκρυσταλλικού πυριτίου χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνικές όπως η διαδικασία Czochralski και οι μέθοδοι float-zone, που είναι ζωτικής σημασίας για την παραγωγή υλικών υψηλής ποιότητας για ηλεκτρονικές συσκευές.

Σχεδιασμένα για εξαιρετική θερμική σταθερότητα, αντοχή στη χημική διάβρωση και ελάχιστη θερμική διαστολή, αυτά τα χωνευτήρια εξασφαλίζουν ανθεκτικότητα και στιβαρότητα. Είναι σχεδιασμένα να αντέχουν σε σκληρά χημικά περιβάλλοντα χωρίς να διακυβεύεται η δομική ακεραιότητα ή η απόδοση, επεκτείνοντας έτσι τη διάρκεια ζωής του χωνευτηρίου και διατηρώντας σταθερή απόδοση σε παρατεταμένη χρήση.

Η μοναδική σύνθεση των Vetek Semiconductor Crucibles για μονοκρυσταλλικό πυρίτιο τους επιτρέπει να αντέχουν στις ακραίες συνθήκες επεξεργασίας σε υψηλή θερμοκρασία. Αυτό εγγυάται εξαιρετική θερμική σταθερότητα και καθαρότητα, τα οποία είναι κρίσιμα για την επεξεργασία ημιαγωγών. Η σύνθεση διευκολύνει επίσης την αποτελεσματική μεταφορά θερμότητας, προάγοντας την ομοιόμορφη κρυστάλλωση και ελαχιστοποιώντας τις θερμικές διαβαθμίσεις εντός του τήγματος πυριτίου.

Πλεονεκτήματα του SiC Coating Susceptor μας:

Προστασία υλικού βάσης: Η επίστρωση CVD SiC δρα ως προστατευτικό στρώμα κατά τη διάρκεια της επιταξιακής διαδικασίας, προστατεύοντας αποτελεσματικά το υλικό βάσης από τη διάβρωση και τη ζημιά που προκαλείται από το εξωτερικό περιβάλλον. Αυτό το προστατευτικό μέτρο παρατείνει σημαντικά τη διάρκεια ζωής του εξοπλισμού.

Εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα: Η επίστρωση CVD SiC διαθέτει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, μεταφέροντας αποτελεσματικά τη θερμότητα από το υλικό βάσης στην επιφάνεια της επίστρωσης. Αυτό ενισχύει την αποτελεσματικότητα της θερμικής διαχείρισης κατά τη διάρκεια της επιταξίας, εξασφαλίζοντας βέλτιστες θερμοκρασίες λειτουργίας για τον εξοπλισμό.

Βελτιωμένη ποιότητα φιλμ: Η επίστρωση CVD SiC παρέχει μια επίπεδη και ομοιόμορφη επιφάνεια, δημιουργώντας μια ιδανική βάση για την ανάπτυξη του φιλμ. Μειώνει τα ελαττώματα που προκύπτουν από την ασυμφωνία του πλέγματος, ενισχύει την κρυσταλλικότητα και την ποιότητα του επιταξιακού φιλμ και τελικά βελτιώνει την απόδοση και την αξιοπιστία του.

Επιλέξτε το SiC Coating Susceptor μας για τις ανάγκες παραγωγής επιταξιακής γκοφρέτας σας και επωφεληθείτε από βελτιωμένη προστασία, ανώτερη θερμική αγωγιμότητα και βελτιωμένη ποιότητα φιλμ. Εμπιστευτείτε τις καινοτόμες λύσεις της VeTek Semiconductor για να οδηγήσετε την επιτυχία σας στον κλάδο των ημιαγωγών.

Καταστήματα παραγωγής:

Επισκόπηση της αλυσίδας βιομηχανίας επιταξίας τσιπ ημιαγωγών: